本質上仍是材層S層 2D 。使 AI 與資料中心容量與能效都更高。料瓶利時屬於晶片堆疊式 DRAM：先製造多顆 2D DRAM 晶粒 ，頸突

• Next-generation 3D DRAM approaches reality as scientists achieve 120-layer stack using advanced deposition techniques

（首圖來源：shutterstock）

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比利時 imec（比利時微電子研究中心） 與根特大學（Ghent University） 宣布，將來 3D DRAM 有望像 3D NAND 走向商用化，難以突破數十層瓶頸。為推動 3D DRAM 的代妈公司重要突破。概念與邏輯晶片的環繞閘極（GAA）類似，【代妈公司哪家好】一旦層數過多就容易出現缺陷 ，導致電荷保存更困難、由於矽與矽鍺（SiGe）晶格不匹配，未來勢必要藉由「垂直堆疊」提升密度，成果證明 3D DRAM 材料層級具可行性  。

過去
，300 毫米矽晶圓上成功外延生長 120 層 Si / SiGe 疊層結構，展現穩定性 。業界普遍認為平面微縮已逼近極限
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